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J-GLOBAL ID：200903040450505266

半導体装置形成用ウエハ、その製造方法、および電界効果型トランジスタ

Inventor： 見田 充郎 ,  大来 英之 ,  戸田 典彦
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005087650
Publication number (International publication number)：2006269862
Application date： Mar. 25, 2005
Publication date： Oct. 05, 2006
Summary：

【課題】オフ耐圧を従来よりも高めることで、大きな出力電力を得ること。【解決手段】基板12と、基板の主面12a側に形成されたGaNからなる電子走行層16と、電子走行層上に形成されたAlGaNからなる電子供給層18とを備え、電子走行層の厚みが、0.2〜0.9μmであることを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板と、該基板の主面側に形成されたGaNからなる電子走行層と、該電子走行層上に形成されたAlGaNからなる電子供給層とを備え、 前記電子走行層の厚みが、0.2〜0.9μmであることを特徴とする半導体装置形成用ウエハ。

IPC (3)：

H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338

FI (1)：

H01L29/80 H

F-Term (16)：

5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GL07 ,  5F102GL17 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR09 ,  5F102HC01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 高移動度トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-057070   Applicant：古河電気工業株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-005093   Applicant：松下電器産業株式会社
• GaN系電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-328873   Applicant：古河電気工業株式会社