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J-GLOBAL ID：200903031585156912

半導体装置

Inventor： 井上 薫 ,  西井 勝則 ,  正戸 宏幸
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000005093
Publication number (International publication number)：2001196575
Application date： Jan. 13, 2000
Publication date： Jul. 19, 2001
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 GaN系電界効果トランジスタにおいて、GaNのバッファー層中の残留キャリアの伝導によるリーク電流成分を低減しトランジスタのピンチオフ特性を向上させる。【解決手段】 GaNバッファー層と、GaNあるいはInGaNとGaNを組み合わせたチャンネル層と、AlGaN層とがサファイア基板あるいはSiC基板上に順次形成されたヘテロ構造のGaNバッファー層中にAlGaN層を設け、設けられたAlGaN層におけるAlN組成比を表面のAlGaN層のAlN組成比よりも小さくする。

Claim (excerpt)：

GaNバッファー層と、第一のAlGaN層と、GaNあるいはInGaNとGaNを組み合わせたチャンネル層と、第二のAlGaN層とが、サファイア基板あるいはSiC基板上に順次形成された構造を有し、かつそれぞれの層の表面がIII族原子のc面となるヘテロ構造を用いた半導体装置であって、該第一のAlGaN層におけるAlN組成比が該第一のAlGaN層におけるAlN組成比よりも小さいことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

F-Term (12)：

5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GQ03 ,  5F102HC01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-069617   Applicant：日本電信電話株式会社
• GaN系化合物半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-234548   Applicant：古河電気工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体を用いた電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-109444   Applicant：日立電線株式会社
• 窒化物半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-275429   Applicant：日立電線株式会社
• 電界効果トランジスタとそれを備えた半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-084933   Applicant：名古屋工業大学長, 日本酸素株式会社