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J-GLOBAL ID：200903040462684913

半導体装置およびその作製方法

Inventor： 山崎 舜平 ,  浅見 勇臣 ,  高山 徹 ,  河崎 律子 ,  安達 広樹 ,  荒井 康行 ,  坂本 直哉 ,  早川 昌彦
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999372013
Publication number (International publication number)：2000269510
Application date： Dec. 28, 1999
Publication date： Sep. 29, 2000
Summary：

【要約】【課題】 第1の絶縁層と結晶質半導体層と第2の絶縁層とを積層して成る半導体装置において応力バランスを考慮した構成として特性の向上を図る。【解決手段】 基板上に、引張り応力を有する結晶質半導体層を活性層とする半導体装置において、前記半導体層の基板側の表面に設けられる第1の絶縁層に引張り応力を付与し、前記半導体層の基板側とは反対側の表面に設けられる第2の絶縁層に圧縮応力を有するものを適用する。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された島状半導体膜より成る活性層と、前記活性層と前記基板との間に設けられ、含有窒素濃度が含有酸素濃度よりも大きい第1の酸化窒化シリコン膜と、含有窒素濃度が含有酸素濃度よりも小さい第2の酸化窒化シリコン膜とを有する第1の絶縁層と、前記活性層の前記基板とは反対側の表面に接して設けられ、含有窒素濃度が含有酸素濃度よりも小さい第3の酸化窒化シリコン膜を有する第2の絶縁層とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/146

FI (6)：

H01L 29/78 626 C ,  H01L 21/318 C ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/14 C ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 617 U

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 多結晶半導体膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-181378   Applicant：三洋電機株式会社
• 半導体装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-344495   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所