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J-GLOBAL ID：200903040622243285

絶縁膜の形成方法

Inventor： 佐々木 直人 ,  宮永 隆史 ,  亀岡 克也
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996021206
Publication number (International publication number)：1997213693
Application date： Feb. 07, 1996
Publication date： Aug. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】 半導体デバイスのデザインルールを微細化して高集積化を進めてもデバイスの動作速度が低下しないように、より低誘電率の絶縁膜を形成することが可能な絶縁膜の形成方法を提供する。【解決手段】 Si-H結合を含む無機系の塗布型絶縁膜を形成する際に、酸素濃度を低下させた雰囲気中で上記塗布型絶縁膜を焼成する。なお、塗布型絶縁膜を焼成する際に酸素濃度を低下させるには、例えば、焼成炉内の雰囲気を減圧したり、或いは、焼成炉内の雰囲気を不活性ガスで置換すればよい。

Claim (excerpt)：

Si-H結合を含む無機系の塗布型絶縁膜を形成する際に、酸素濃度を低下させた雰囲気中で上記塗布型絶縁膜を焼成することを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/31

FI (3)：

H01L 21/316 G ,  H01L 21/90 K ,  H01L 21/95

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 絶縁膜を有する半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-280619   Applicant：富士通株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-001866   Applicant：川崎製鉄株式会社
• 酸化ケイ素膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-352735   Applicant：東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社