絶縁膜を有する半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高橋敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994280619
Publication number (International publication number)：1996148559
Application date： Nov. 15, 1994
Publication date： Jun. 07, 1996
Summary：

【要約】【目的】基板上に塗布されたポリシラザンを、その下層に形成された配線の腐食及び欠損を引き起こすことなくキュアして形成された絶縁膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。【構成】表面に段差を有する基板を準備する工程と、基板表面の上にポリシラザンを塗布する工程と、ポリシラザンを非酸化性雰囲気中でキュアする工程とを含む。

Claim (excerpt)：

表面に段差を有する基板を準備する工程と、前記基板表面の上にポリシラザンを塗布する工程と、前記ポリシラザンを非酸化性雰囲気中でキュアする工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/768 , H01L 21/312

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-101682 Applicant：富士通株式会社, 株式会社九州富士通エレクトロニクス
集積回路装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-042770 Applicant：富士通株式会社, 株式会社九州富士通エレクトロニクス
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-047207 Applicant：川崎製鉄株式会社

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