半導体装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉村暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995001866
Publication number (International publication number)：1996191064
Application date： Jan. 10, 1995
Publication date： Jul. 23, 1996
Summary：

【要約】【目的】脱ガス量が少なく、エッチングレートの低い良質な層間絶縁膜を、より低い熱処理温度で半導体基板上に形成する半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 Si-H結合を含む酸化ケイ素質絶縁物質前駆体の溶液を半導体基板上に塗布した後、N2O ガスの濃度が25体積%を超えて 100体積%以下の雰囲気で 330°Cを超えて 450°C以下の温度で熱処理し、又はNH3 ガスの濃度が1体積%を超えて 100体積%以下の雰囲気中で 330°Cを超えて 450°C以下の温度で熱処理し、又は H2Oガスの濃度が 0.5ppm を超えて7体積%未満の雰囲気中で 330°Cを超えて 450°C以下の温度で熱処理し、又は真空度が0.05Torrを超えて 200Torr未満の真空雰囲気中で 330°Cを超えて 450°C以下の温度で熱処理して層間絶縁膜を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に層間絶縁膜を形成するに当たり、Si-H結合を含むSiO2前駆体の溶液を半導体基板上に塗布した後、N2O ガスの濃度が25体積%を超えて 100体積%以下の雰囲気中で、330 °Cを超えて 450°C以下の温度で熱処理して層間絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/31 , H01L 21/316 , H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/94 Z , H01L 21/90 K , H01L 21/90 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

シリカ含有セラミックコーティングの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-172968 Applicant：ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション
特開平1-202826
特開平4-227980

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