選択的化学的気相成長を利用して形成したアルミニウムプラグ及びその形成方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997039376
Publication number (International publication number)：1998012737
Application date： Feb. 24, 1997
Publication date： Jan. 16, 1998
Summary：

【要約】【課題】半導体ICデバイスにおいて、とぎれがなく、電気的接続の信頼性の高い相互接続体及びその形成方法を提供する。【解決手段】半導体構成要素の導電領域22を露出させるコンタクト開口26が形成された絶縁層24が表面上に形成されている基板20に半導体構成要素を形成する工程と、基板20に対して真空熱アニール処理を施す工程と、前駆物質としてDMEAA(dimethylethylamine alane)を使用し、基板の温度が堆積選択性を有する温度で施されるCVD処理において、基板の表面上に、コンタクト開口26中にあって導電領域22に接続し、絶縁層24の表面上には堆積せずに露出した導電領域22上に選択的にアルミニウムを堆積させる工程によりアルミニウムプラグ28を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体構成要素の導電領域を露出させるコンタクト開口が形成された絶縁層が表面上に形成されている基板に半導体構成要素を形成する工程と、前記基板に対して真空熱アニール処理を施す工程と、前駆物質としてジメチルエチルアミンアラン(DMEAA;dimethylethylamine alane)を使用し、前記基板の温度が堆積選択性を有する温度で施されるCVD(化学的気相成長)処理において、前記基板の表面上に、前記コンタクト開口中にあって前記導電領域に接続し、前記絶縁層の表面上には堆積せずに前記露出した導電領域上に選択的に堆積されたアルミニウムプラグを形成するために、アルミニウム層を堆積させる工程とを有する選択的CVD(化学的気相成長)処理を利用したアルミニウムプラグの形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/768 , C23C 16/20 , H01L 21/285 301

FI (3)：

H01L 21/90 A , C23C 16/20 , H01L 21/285 301 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

多層配線構造およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-028249 Applicant：川崎製鉄株式会社
薄膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-140880 Applicant：川崎製鉄株式会社
アルミニウム配線の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-163671 Applicant：川崎製鉄株式会社

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