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J-GLOBAL ID：200903040651249233

半導体装置および半導体装置の製造方法

Inventor： 笹田 一弘 ,  有本 護 ,  長沢 秀治 ,  西田 篤弘 ,  青江 弘行 ,  松下 欣史
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 安富 耕二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997072278
Publication number (International publication number)：1998270441
Application date： Mar. 25, 1997
Publication date： Oct. 09, 1998
Summary：

【要約】【課題】水分に起因するデバイスの信頼性についての特性劣化を低減すると共に、デバイスの初期特性に影響を与えない絶縁膜を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】LPCVD法によって形成されたシリコン窒化膜11でトランジスタ9をカバーし、そのシリコン窒化膜11の膜厚を10nm未満にする。これにより、水分に起因するトランジスタ9の信頼性についての特性劣化を低減することが可能になり、シリコン窒化膜11がトランジスタ9の初期特性に影響を与えるのを防止することができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成されたデバイスをカバーするシリコン窒化膜を備え、そのシリコン窒化膜の膜厚が10nm未満である半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/318 ,  H01L 29/78

FI (2)：

H01L 21/318 B ,  H01L 29/78 301 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置の層間絶縁膜構造およびその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-243321   Applicant：ソニー株式会社
• スタックト型DRAMの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-349753   Applicant：ソニー株式会社