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J-GLOBAL ID：200903040664519507

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 坂田 敦子 ,  蓮沼 正彦 ,  金子 尚史 ,  早坂 伸夫 ,  和田 純一 ,  奥村 勝弥
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996344264
Publication number (International publication number)：1998189495
Application date： Dec. 24, 1996
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】 微細でかつ高アスペクト比の接続孔や配線溝等に充填された、信頼性の高い導電膜を具備する半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体基板と、この半導体基板上に形成され、凹部を有する絶縁膜と、前記凹部に形成された導電膜とを具備し、前記導電膜は、導電膜を構成する元素よりも低い融点を有する物質を固溶可能な最大の濃度以下含有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、この半導体基板上に形成され、凹部を有する絶縁膜と、前記凹部に形成された導電膜とを具備し、前記導電膜は、導電膜を構成する元素よりも低い融点を有する低融点物質を、固溶可能な最大の濃度以下含有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/288 ,  H01L 21/768

FI (2)：

H01L 21/288 Z ,  H01L 21/90 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-339318   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-349314   Applicant：川崎製鉄株式会社