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J-GLOBAL ID：200903040780623907

剥離方法

Inventor： 下田 達也 ,  井上 聡 ,  宮沢 和加雄
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996300373
Publication number (International publication number)：1998125930
Application date： Nov. 12, 1996
Publication date： May. 15, 1998
Summary：

【要約】【課題】被剥離物の特性、条件等にかかわらず、容易に剥離することができ、特に、種々の転写体への転写が可能な剥離方法を提供すること。【解決手段】本発明の剥離方法(転写方法)は、透光性の基板1上に例えば非晶質シリコンで構成される分離層2を形成する工程と、分離層2上に直接または所定の中間層3を介して被転写層4を形成する工程と、被転写層4の基板1と反対側に接着層5を介して転写体6を接合する工程と、基板1の裏面側から分離層2にレーザ光のような照射光7を照射し、アブレーションにより分離層2の層内および/または界面において剥離を生ぜしめ、被転写層4を基板1から離脱させて転写体6へ転写する工程とを有する。

Claim (excerpt)：

基板上に分離層を介して存在する被剥離物を前記基板から剥離する剥離方法であって、前記分離層に照射光を照射して、前記分離層の層内および/または界面において剥離を生ぜしめ、前記被剥離物を前記基板から離脱させることを特徴とする剥離方法。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500

FI (3)：

H01L 29/78 627 Z ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 627 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特表平6-504139
  
• 表示セル
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-350543   Applicant：加藤忠信
• 半導体基板の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-045441   Applicant：キヤノン株式会社
• 基体から素子形成層を分離する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-037655   Applicant：ソニー株式会社
• 薄い半導体材料フィルムの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-246594   Applicant：コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Laser beam application to thin film transistors