Pat
J-GLOBAL ID:200903040825149748
圧力センサ
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003089644
Publication number (International publication number):2004294359
Application date: Mar. 28, 2003
Publication date: Oct. 21, 2004
Summary:
【課題】高圧測定が可能で、かつ製造工程を簡素化することのできる圧力センサを提供する。【解決手段】(100)面からエッチング処理に伴って開口部及び薄肉のダイアフラム部2が形成されてなる半導体基板1を圧力導入孔20aを有するガラス台座(ガラス基板)20上に配設し、半導体基板1とガラス台座20とを陽極接合法によって接合する。半導体基板1のガラス台座20との接合面3aの幅L4(A)とし、ダイアフラム部2の略中心から前記開口部の端部までの長さをL5(B)とした場合に、L4とL5との比L4/L5が、0.2≦L4/L5≦0.5になるように設定される。【選択図】 図5
Claim (excerpt):
(100)面からのエッチング処理に伴って開口部及び薄肉のダイアフラム部が形成されてなる半導体基板を圧力導入孔を有するガラス基板上に配設し、前記半導体基板と前記ガラス基板とを陽極接合法によって接合してなる圧力センサであって、
前記半導体基板の前記ガラス基板との接合面の幅をAとし、前記ダイアフラム部の略中心から前記開口部の端部までの長さをBとした場合に、AとBとの比A/Bが、
0.2≦A/B≦0.5
になるように設定されていることを特徴とする圧力センサ。
IPC (2):
FI (2):
G01L9/00 303B
, H01L29/84 B
F-Term (37):
2F055AA40
, 2F055BB20
, 2F055CC02
, 2F055DD05
, 2F055EE14
, 2F055FF07
, 2F055FF43
, 2F055GG15
, 4M112AA01
, 4M112BA01
, 4M112CA01
, 4M112CA05
, 4M112CA07
, 4M112CA11
, 4M112CA12
, 4M112CA13
, 4M112CA15
, 4M112CA16
, 4M112DA03
, 4M112DA04
, 4M112DA05
, 4M112DA08
, 4M112DA09
, 4M112DA11
, 4M112DA12
, 4M112DA18
, 4M112EA03
, 4M112EA06
, 4M112EA07
, 4M112EA10
, 4M112EA11
, 4M112EA13
, 4M112FA01
, 4M112FA05
, 4M112FA07
, 4M112FA09
, 4M112FA20
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
-
半導体圧力センサの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-042647
Applicant:松下電工株式会社
-
圧力センサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-310783
Applicant:松下電工株式会社
-
特公平6-029818
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