逆導通型半導体素子とその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：河宮治 , 竹内三喜夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004133698
Publication number (International publication number)：2005317751
Application date： Apr. 28, 2004
Publication date： Nov. 10, 2005
Summary：

【課題】絶縁ゲートバイポーラトランジスタとリカバリー特性に優れた転流ダイオードとが基板に一体で形成された逆導通型半導体素子を提供する。【解決手段】絶縁ゲートバイポーラトランジスタと転流ダイオードとが第1導電型半導体からなる基板に一体で形成された逆導通型半導体素子であって、転流ダイオードは、絶縁ゲートバイポーラトランジスタの第2導電型ベース層と第1導電型ベース層とを含み、基板の一方の面のエミッタ電極をアノード電極とし、基板の他方の面のコレクタ電極をカソード電極として構成し、第1導電型ベース層の一部に、他の第1導電型ベース層に比較してキャリアのライフタイムが短い低ライフタイム領域を形成した。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

絶縁ゲートバイポーラトランジスタと転流ダイオードとが第1導電型半導体からなる基板に一体で形成された逆導通型半導体素子であって、上記転流ダイオードは、上記絶縁ゲートバイポーラトランジスタを構成するために上記基板の一方の面に第2導電型の不純物をドープすることにより形成された第2導電型ベース層と上記絶縁ゲートバイポーラトランジスタを構成する上記第1導電型半導体からなる第1導電型ベース層とを含み、上記基板の一方の面において上記第2導電型ベース層の一部に形成された第1導電型エミッタ層と上記第2導電型ベース層とを覆うように形成されたエミッタ電極をアノード電極とし、上記基板の他方の面において上記第1導電型ベース層とその第1導電型ベース層の一部に形成された第2導電型コレクタ層を覆うように形成されたコレクタ電極をカソード電極として構成され、上記第1導電型ベース層の一部に、他の第1導電型ベース層に比較してキャリアのライフタイムが短い低ライフタイム領域が形成されたことを特徴とする逆導通型半導体素子。

IPC (6)：

H01L29/78 , H01L21/322 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L29/06

FI (9)：

H01L29/78 655D , H01L29/78 652P , H01L29/78 653C , H01L29/78 656A , H01L29/78 656D , H01L21/322 L , H01L29/06 301G , H01L27/06 102A , H01L29/78 658H

F-Term (14)：

5F048AA05 , 5F048AB07 , 5F048AB10 , 5F048AC10 , 5F048BA01 , 5F048BB01 , 5F048BB05 , 5F048BB19 , 5F048BC03 , 5F048BC12 , 5F048BD04 , 5F048BD07 , 5F048BE03 , 5F048BH07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

電力用半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-001713 Applicant：三菱電機株式会社
電力用半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-176896 Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (7)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-255729 Applicant：株式会社東芝
特開平3-238871
逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-344469 Applicant：株式会社日立製作所

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