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J-GLOBAL ID：200903040888022071

オフセット閾値電圧を有する有機電界効果トランジスタおよびその使用

Inventor： アンドレアス ウルマン ,  ヴァルター フィックス
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (5)： 矢野 敏雄 ,  山崎 利臣 ,  久野 琢也 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  ラインハルト・アインゼル
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003555592
Publication number (International publication number)：2005513802
Application date： Dec. 09, 2002
Publication date： May. 12, 2005
Summary：

本発明はオフセット閾値電圧を有する有機電界効果トランジスタに関する。有機電界効果トランジスタOFETは絶縁層と半導体層とのあいだの空間電荷領域を形成する中間層を有する。

Claim (excerpt)：

活性の半導体層に接してこの活性の半導体層内に空間電荷領域を形成する中間層が設けられており、 該中間層により有機電界効果トランジスタの閾値電圧がオフセットされる ことを特徴とする有機電界効果トランジスタ。

IPC (2)：

H01L29/786 ,  H01L51/00

FI (3)：

H01L29/78 618E ,  H01L29/28 ,  H01L29/78 618B

F-Term (9)：

5F110AA08 ,  5F110BB01 ,  5F110BB09 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 光・電子機能材料およびその薄膜の製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-061839   Applicant：三菱電機株式会社
• コプラナー型半導体装置とそれを用いた表示装置および製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-055997   Applicant：株式会社日立製作所

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Organic Thin-Film Transistors for Organic Light-Emitting Flat-Panel Display Backplanes