コプラナー型半導体装置とそれを用いた表示装置および製法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000055997
Publication number (International publication number)：2001244467
Application date： Feb. 28, 2000
Publication date： Sep. 07, 2001
Summary：

【要約】【課題】有機半導体材料を用いた高性能コプラナー型半導体装置の提供。【解決手段】ガラス基板101上にゲート電極102,ゲート絶縁層103を形成し、その上に層間絶縁層104を形成する。さらにその上にソース電極105,ドレイン電極106を形成する。次に、チャネル領域に対応する層間絶縁層の領域108を除去し、その上に有機半導体層107を形成したコプラナー型半導体装置。

Claim (excerpt)：

基板の表面にゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極並びにドレイン電極、および、有機半導体層の順に形成されたコプラナー型半導体装置において、前記ゲート絶縁層の表面に1層以上の層間絶縁層を有し、前記層間絶縁層がチャネル領域において除去された構造であることを特徴とするコプラナー型半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/786 , H01L 21/208 , H01L 51/00 , H01L 21/336

FI (5)：

H01L 21/208 Z , H01L 29/78 618 B , H01L 29/28 , H01L 29/78 616 K , H01L 29/78 618 A

F-Term (45)：

5F053DD19 , 5F053FF01 , 5F053HH10 , 5F110AA16 , 5F110AA17 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE42 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF12 , 5F110FF27 , 5F110FF29 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HM11 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN36 , 5F110NN72 , 5F110QQ01 , 5F110QQ10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

薄膜トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-234113 Applicant：シャープ株式会社
薄膜トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-041847 Applicant：株式会社東芝
静電気対策を施した電極配線基板とこれを用いた表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-334492 Applicant：株式会社東芝

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