Pat
J-GLOBAL ID：200903040904275376

脆性材料基板の加工方法

Inventor：
井村 淳史

About 井村 淳史


Applicant, Patent owner：
三星ダイヤモンド工業株式会社

About 三星ダイヤモンド工業株式会社


Agent (2)： 鹿島 義雄 ,  甲斐 寛人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007252093
Publication number (International publication number)：2009083119
Application date： Sep. 27, 2007
Publication date： Apr. 23, 2009
Summary：
【課題】 分断予定ラインに沿って正確な位置に、基板内部まで深く浸透するクラックを確実に形成することができる加工方法を提供する。【解決手段】 ビームスポットBSを分断予定ラインPに沿って相対移動させることにより加熱する加熱工程と、冷却スポットをビームスポットが走査された軌跡に沿って相対移動させて冷却する冷却工程とによりクラックを形成する脆性材料基板の加工方法であって、(a)ビームスポットの幅より小さく絞った第一冷却スポットCS1を、ビームスポットの直後に追随させて相対移動させることにより、浅いクラックS2を進展する第一冷却工程と、(b)ビームスポットの幅以上に広げた第二冷却スポットCS2を、第一冷却スポットが走査された軌跡に沿って相対移動させることにより、先に形成された浅いクラックを基板の厚み方向に浸透させる第二冷却工程とが連続して行われるようにする。【選択図】図5
Claim (excerpt)：
脆性材料基板に分断予定ラインを設定し、レーザビームのビームスポットを前記分断予定ラインに沿って相対移動させることにより前記基板を軟化温度よりも低温にて加熱する加熱工程と、冷媒の噴射により形成される冷却スポットを前記ビームスポットが走査された軌跡に沿って相対移動させて冷却する冷却工程とにより、前記分断予定ラインに沿ってクラックを形成する脆性材料基板の加工方法であって、前記冷却工程は、 (a)前記冷却スポットの幅を前記ビームスポットの幅より小さく絞った第一冷却スポットを、前記ビームスポットの直後に追随させて相対移動させることにより、浅いクラックを進展する第一冷却工程と、 (b)前記冷却スポットの幅を前記ビームスポットの幅以上に広げた第二冷却スポットを、第一冷却スポットが走査された軌跡に沿って相対移動させることにより、先に形成された浅いクラックを基板の厚み方向に浸透させる第二冷却工程とが連続して行われることを特徴とする脆性材料基板の加工方法。
IPC (5)：
B28D 5/00 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/14 ,  C03B 33/09 ,  C04B 41/80
FI (5)：
B28D5/00 Z ,  B23K26/00 D ,  B23K26/14 Z ,  C03B33/09 ,  C04B41/80 Z
F-Term (19)：
3C069AA02 ,  3C069BA08 ,  3C069BB01 ,  3C069BC01 ,  3C069CA03 ,  3C069CA05 ,  3C069CA06 ,  3C069CA11 ,  3C069DA06 ,  4E068AD01 ,  4E068CJ08 ,  4E068DA10 ,  4E068DB12 ,  4E068DB13 ,  4G015FA04 ,  4G015FA06 ,  4G015FB02 ,  4G015FC10 ,  4G015FC14
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM