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J-GLOBAL ID：200903040906954181

薄膜半導体基板の表面処理方法

Inventor： 須藤 充 ,  高松 勝 ,  中井 哲弥
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアルシリコン株式会社 ,  三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 須田 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997038848
Publication number (International publication number)：1998242154
Application date： Feb. 24, 1997
Publication date： Sep. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】 厚さ数百nm以下の極めて薄い薄膜であっても、薄膜の厚さを変えずにかつ面内の厚さのばらつきを大きくせずに、薄膜の平均表面粗さを0.1nmオーダーに改善する。【解決手段】 本発明の処理方法は、平均表面粗さが少なくとも0.2nmである単結晶薄膜13を有する半導体基板12を水素雰囲気のような活性雰囲気中で1000〜1300°Cの温度で10分〜5時間熱処理する。

Claim (excerpt)：

半導体基板(12)上に形成された平均表面粗さが少なくとも0.2nmである単結晶薄膜(13)の表面を処理する方法において、前記半導体基板(12)を活性雰囲気中で1000〜1300°Cの温度で10分〜5時間熱処理することを特徴とする薄膜半導体基板の表面処理方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体基板の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-016523   Applicant：キヤノン株式会社
• シリコンウエーハの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-090135   Applicant：東芝セラミックス株式会社, 新潟東芝セラミックス株式会社
• 半導体基体とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-264386   Applicant：キヤノン株式会社