架橋イオン伝導性膜

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石田敬 (外4名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000550588
Publication number (International publication number)：2002516348
Application date： Jan. 28, 1999
Publication date： Jun. 04, 2002
Summary：

【要約】酸性官能基を生じる化学種との架橋によって、架橋スルホン化ポリエーテルケトン、スルホン化ポリスルホン、スルホン化ポリスチレン、およびその他の酸性ポリマーなど、イオン伝導性膜として有用な架橋酸性ポリマーを製造する方法が提供される。架橋剤は望ましくは、酸性基の占有による酸性損失をその中のN-H結合の酸性によって補うために、膜の強度と膨潤抵抗性に貢献しながら膜伝導率を保持するイミド官能基に酸性基が転換することで、酸性官能基に結合する。

Claim (excerpt)：

i)1つ以上の酸ハロゲン化物基に結合する架橋剤との反応により、ペンダントの酸ハロゲン化物基を有するポリマーを架橋して、pKa<5を有する1つ以上の基を与えるステップ、および ii)1つ以上のアミド基に結合する架橋剤により、ペンダントのアミド基を有するポリマーを架橋して、pKa<5を有する1つ以上の基を与えるステップ、から選択されるステップを含む架橋ポリマーを製造する方法。

IPC (8)：

C08J 3/24 , B01D 71/52 , B01D 71/82 500 , C08G 65/48 , C08J 5/22 , H01B 1/06 , H01B 13/00 , H01M 8/02

FI (8)：

C08J 3/24 Z , B01D 71/52 , B01D 71/82 500 , C08G 65/48 , C08J 5/22 , H01B 1/06 A , H01B 13/00 Z , H01M 8/02 P

F-Term (38)：

4D006GA16 , 4D006MA03 , 4D006MA11 , 4D006MC45X , 4D006MC47X , 4D006MC71X , 4D006MC72X , 4D006MC73X , 4D006MC74X , 4D006MC75X , 4D006NA44 , 4D006PC80 , 4F070AA52 , 4F070AB06 , 4F070AB18 , 4F070GA08 , 4F070GB05 , 4F070GC02 , 4F071AA51 , 4F071AA78 , 4F071AF14 , 4F071AF37 , 4F071AG05 , 4F071AH15 , 4F071FA01 , 4F071FA05 , 4F071FB01 , 4F071FC01 , 4F071FD04 , 4J005AA24 , 4J005BD06 , 5G301CA08 , 5G301CD01 , 5H026AA06 , 5H026CX05 , 5H026EE18 , 5H026EE19 , 5H026HH00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

高分子電解質膜およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-142226 Applicant：ヘキスト・アクチェンゲゼルシャフト
架橋したスルホン化ポリマーおよびその製造法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平11-538749 Applicant：ハイドロ-ケベック
特開昭60-058462

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