Pat
J-GLOBAL ID:200903041049880581
III族窒化物系化合物半導体膜の成長方法及びIII族窒化物系化合物半導体素子
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小西 富雅
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999370437
Publication number (International publication number):2001185498
Application date: Dec. 27, 1999
Publication date: Jul. 06, 2001
Summary:
【要約】【目的】 横方向成長法(ELO法)を実行する際のいわゆるマスク層を簡易に形成する。【構成】 基板上にIII族窒化物系化合物半導体の結晶成長を抑止する成長抑止材料を島状に蒸着し、これを横方向成長法を実行する際のマスク層とする。
Claim (excerpt):
基板上に成長抑止材料を一部基板面が露出するように島状に形成し、横方向成長法を実行して前記基板と前記島状成長抑止材料の上にIII族窒化物系化合物半導体を成長させる、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体膜の成長方法。
IPC (4):
H01L 21/205
, C23C 16/02
, C23C 16/34
, H01L 33/00
FI (4):
H01L 21/205
, C23C 16/02
, C23C 16/34
, H01L 33/00 C
F-Term (40):
4K030AA11
, 4K030BA02
, 4K030BA08
, 4K030BA11
, 4K030BA38
, 4K030BA55
, 4K030CA04
, 4K030CA05
, 4K030DA05
, 4K030FA10
, 4K030HA04
, 4K030LA11
, 4K030LA14
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA66
, 5F045AA04
, 5F045AA18
, 5F045AB09
, 5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045AB18
, 5F045AB32
, 5F045AB33
, 5F045AF02
, 5F045AF03
, 5F045AF04
, 5F045AF09
, 5F045AF13
, 5F045AF20
, 5F045BB12
, 5F045CA10
, 5F045CA12
, 5F045CA13
, 5F045DA53
, 5F045DA55
Patent cited by the Patent: