III族窒化物系化合物半導体膜の成長方法及びIII族窒化物系化合物半導体素子

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小西富雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999370437
Publication number (International publication number)：2001185498
Application date： Dec. 27, 1999
Publication date： Jul. 06, 2001
Summary：

【要約】【目的】横方向成長法(ELO法)を実行する際のいわゆるマスク層を簡易に形成する。【構成】基板上にIII族窒化物系化合物半導体の結晶成長を抑止する成長抑止材料を島状に蒸着し、これを横方向成長法を実行する際のマスク層とする。

Claim (excerpt)：

基板上に成長抑止材料を一部基板面が露出するように島状に形成し、横方向成長法を実行して前記基板と前記島状成長抑止材料の上にIII族窒化物系化合物半導体を成長させる、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体膜の成長方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 , C23C 16/02 , C23C 16/34 , H01L 33/00

FI (4)：

H01L 21/205 , C23C 16/02 , C23C 16/34 , H01L 33/00 C

F-Term (40)：

4K030AA11 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA11 , 4K030BA38 , 4K030BA55 , 4K030CA04 , 4K030CA05 , 4K030DA05 , 4K030FA10 , 4K030HA04 , 4K030LA11 , 4K030LA14 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA66 , 5F045AA04 , 5F045AA18 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045AF20 , 5F045BB12 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045CA13 , 5F045DA53 , 5F045DA55

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

GaN系結晶成長用基板およびその用途
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-005682 Applicant：三菱電線工業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-227963 Applicant：酒井士郎
GaN系化合物半導体結晶の成長方法及び半導体基材
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-037577 Applicant：三菱電線工業株式会社

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