窒化物系半導体層の形成方法、窒化物系半導体、窒化物系半導体素子の製造方法および窒化物系半導体素子

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：福島祥人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999269197
Publication number (International publication number)：2001094216
Application date： Sep. 22, 1999
Publication date： Apr. 06, 2001
Summary：

【要約】【課題】複数の結晶方位の中から適切な方位を選択して素子領域を配置することが可能な窒化物系半導体層の形成方法、窒化物系半導体素子の製造方法、窒化物系半導体および窒化物系半導体素子を提供することである。【解決手段】サファイア基板上に設けられたGaN層3の表面に、島状に点在する複数の六角形のパターン5を形成する。六角形のパターン5の間に露出したGaN層3の表面からラテラル成長法により再成長GaN層6を結晶成長させる。

Claim (excerpt)：

第1の窒化物系半導体層または基板からなる下地の表面に島状に点在する複数の凸部からなる凹凸パターンを形成し、前記凹凸パターン上に第2の窒化物系半導体層を形成することを特徴とする窒化物系半導体層の形成方法。

IPC (3)：

H01S 5/323 , H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (3)：

H01S 5/323 , H01L 21/205 , H01L 33/00 C

F-Term (35)：

5F041AA40 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F045AA04 , 5F045AA08 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB32 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC12 , 5F045AD10 , 5F045AD12 , 5F045AD14 , 5F045AF09 , 5F045AF12 , 5F045AF13 , 5F045AF20 , 5F045BB12 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB06 , 5F073CB11 , 5F073DA05 , 5F073DA21 , 5F073DA32 , 5F073EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-126989 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化物半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-151392 Applicant：日亜化学工業株式会社
転位線の伝搬方向の制御方法およびその用途
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-293049 Applicant：三菱電線工業株式会社

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