光導電部材及びその製造方法並びに電子写真用感光体、光センサ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：柏木慎史 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999350014
Publication number (International publication number)：2001168035
Application date： Dec. 09, 1999
Publication date： Jun. 22, 2001
Summary：

【要約】【課題】酸化亜鉛薄膜に第I族元素を不純物としてドーピングして所定のキャリア濃度のコントロールを行い、光応答特性のよい光導電部材及びその製造方法を提供する。【解決手段】亜鉛アセチルアセトナートと酸素ガスとLi(DPM)とを原料に用い、常圧の有機金属化学気相成長法によりLi添加ZnO薄膜2を形成することで、ドーピング量及びキャリア濃度の制御が容易な条件下に、抵抗率が増加しかつ光応答特性が向上するLi添加ZnO薄膜2を作成できる。

Claim (excerpt)：

酸化亜鉛及び周期律表の第I族元素の原料としてβ-ジケトン系の有機金属を用い、前記酸化亜鉛を母材とする半導体薄膜に前記第I族元素を不純物としてその不純物濃度が10-5〜10[at・%]なる範囲でドーピングさせるようにした光導電部材の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 , C23C 16/30 , G03G 5/08 102 , H01L 31/08

FI (4)：

H01L 21/205 , C23C 16/30 , G03G 5/08 102 , H01L 31/08 Q

F-Term (33)：

2H068AA25 , 2H068BA57 , 2H068CA22 , 2H068CA51 , 2H068CA60 , 2H068EA24 , 2H068EA27 , 2H068FA14 , 4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030AA20 , 4K030BA47 , 4K030FA01 , 4K030FA03 , 4K030FA10 , 4K030JA06 , 4K030LA11 , 4K030LA17 , 5F045AA04 , 5F045AB31 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AC19 , 5F045CA13 , 5F045CA16 , 5F088AA11 , 5F088AB09 , 5F088AB17 , 5F088BA02 , 5F088BB08 , 5F088CB04 , 5F088LA05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

紫外線検出素子とそれを用いた紫外線検出方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-341697 Applicant：積水化成品工業株式会社
II-VI族化合物半導体の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-141237 Applicant：ソニー株式会社
マイクロ波プラズマCVD装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-005240 Applicant：キヤノン株式会社

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