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J-GLOBAL ID：200903041168222347

圧電体薄膜素子およびその製造方法

Inventor： 田村 博明 ,  長谷川 和正
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998250134
Publication number (International publication number)：2000077740
Application date： Sep. 03, 1998
Publication date： Mar. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】白金を下電極としてこの上に圧電体薄膜を形成する場合、界面の整合性を得ることが困難であった。【解決手段】下電極として導電性酸化物を主体とした材料をもちいる。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上に下電極を配置し、前記下電極上に圧電体薄膜を配置し、前記圧電体薄膜上に上電極を配置した圧電体薄膜素子において、前記下電極が前記圧電体薄膜と前記下電極もしくは前記基板との間における原子の相互拡散にたいしてバリア層の役割を果たすことを特徴とする圧電体薄膜素子。

IPC (2)：

H01L 41/22 ,  H01L 41/09

FI (2)：

H01L 41/22 Z ,  H01L 41/08 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• マイクロ圧電振動子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-184905   Applicant：オリンパス光学工業株式会社
• 強誘電体薄膜素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-231353   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-238034   Applicant：富士通株式会社