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J-GLOBAL ID：200903041170087929

反応性蒸発による現場での薄膜の生長

Inventor： ブライアン・ハロルド・モークリー ,  ウォード・エス・ルビー
Applicant, Patent owner： スーパーコンダクター・テクノロジーズ・インコーポレイテッド
Agent (2)： 青山 葆 ,  山本 宗雄
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006542604
Publication number (International publication number)：2007521397
Application date： Nov. 16, 2004
Publication date： Aug. 02, 2007
Summary：

(a)蒸着ゾーン中でホウ素を支持体の表面に蒸着させる工程;(b)支持体を加圧された気体マグネシウムを含む反応ゾーンに移動する工程;(c)支持体を蒸着ゾーンに戻す工程;および(d)工程(a)〜(c)を繰り返す工程を含むMgB2膜を形成する方法。本発明の好ましい態様で、支持体は回転可能なプラテンを用いて蒸着ゾーンおよび反応ゾーンに入れられたり出されたりする。

Claim (excerpt)：

(a)蒸着ゾーンの中で支持体の表面にホウ素を蒸着する工程; (b)支持体を加圧された気体マグネシウムを含む反応ゾーンに移動する工程; (c)支持体を蒸着ゾーンに戻す工程;および (d)工程(a)〜(c)を繰り返す工程 を含む支持体上にMgB2膜をその場で形成する方法。

IPC (4)：

C23C 14/06 ,  H01B 13/00 ,  H01B 12/06 ,  C23C 14/24

FI (4)：

C23C14/06 S ,  H01B13/00 565Z ,  H01B12/06 ,  C23C14/24 Q

F-Term (23)：

4K029AA04 ,  4K029AA07 ,  4K029AA24 ,  4K029AA25 ,  4K029BA53 ,  4K029BC04 ,  4K029CA01 ,  4K029DB02 ,  4K029DB03 ,  4K029DB14 ,  4K029DB18 ,  4K029DB21 ,  4K029EA00 ,  4K029EA03 ,  4K029EA08 ,  4K029JA02 ,  4K029JA10 ,  4K029KA03 ,  5G321AA98 ,  5G321BA07 ,  5G321CA21 ,  5G321CA24 ,  5G321DD99

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 特開平2-209486
  
• 二硼化マグネシウム超伝導材の合成
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2002-564167   Applicant：アイオワ・ステイト・ユニバーシティ・リサーチ・ファウンデーション
• ホウ化物超伝導体薄膜の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-255904   Applicant：日本電信電話株式会社
• 超伝導材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-069950   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開平2-275716
  
• 超伝導体膜の成長方法と成長装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-172113   Applicant：富士通株式会社
• 薄膜の堆積のための装置および方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-558505   Applicant：コンダクタス,インコーポレイテッド
• 蒸着装置および蒸着方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-052507   Applicant：カシオ計算機株式会社