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J-GLOBAL ID:200903064874556894
薄膜の堆積のための装置および方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
吉田 稔 (外6名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2001558505
Publication number (International publication number):2003522831
Application date: Jan. 31, 2001
Publication date: Jul. 29, 2003
Summary:
【要約】超電導薄膜などの多成分薄膜を基板上に形成するための装置は、少なくとも1つの基板を保持するための保持器(104)および堆積/反応容器を含む。堆積/反応容器(102)は少なくとも3つのゾーン(114)を有し、各ゾーンは壁(120)によって隣接ゾーンから分離される。ゾーンは、各々が少なくとも1つの基板に堆積材料(126)を堆積するように構成され配置された堆積ゾーン(116)を少なくとも2つ、および堆積材料を反応物と反応させるための反応ゾーン(118)を少なくとも1つ含む。該装置は、少なくとも1つの基板を回転させながら複数のゾーンを順次通過させて、基板に薄膜を形成する。該装置の実施形態によっては、堆積/反応容器は同数の堆積ゾーンおよび反応ゾーンを含み、それらは交互の堆積ゾーンおよび反応ゾーンとすることができる。
Claim (excerpt):
(a)少なくとも1つの基板を水平に保持するための保持器と、(b)複数のゾーンを含む堆積/反応容器であって、各ゾーンが壁によって隣接ゾーンから分離され、前記複数のゾーンが、 (i)各々が少なくとも1つの基板上に堆積材料を堆積するように構成され配置された少なくとも2つの堆積ゾーンと、 (ii)前記少なくとも1つの基板上の堆積材料を反応物と反応させるための少なくとも1つの反応ゾーンとを含むように構成された前記堆積/反応容器とを備え、少なくとも1つの基板を水平方向に繰返し回転させながら前記複数のゾーンを順次通過させるように構成され配置された装置。
IPC (3):
C23C 14/24 ZAA
, H01B 12/06
, H01B 13/00 565
FI (3):
C23C 14/24 ZAA C
, H01B 12/06
, H01B 13/00 565 D
F-Term (13):
4K029BA50
, 4K029BC04
, 4K029CA02
, 4K029DA08
, 4K029DA10
, 4K029DB14
, 4K029EA08
, 5G321AA01
, 5G321CA21
, 5G321CA24
, 5G321DB35
, 5G321DB39
, 5G321DB40
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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特開昭64-021973
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特開平2-275716
-
特開平2-004967
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薄膜超電導体の製造方法及びその製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-075573
Applicant:松下電器産業株式会社
-
特開平2-239104
-
特開平3-166777
-
複合金属の化合物薄膜形成方法及びその薄膜形成装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-098246
Applicant:株式会社シンクロン
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