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J-GLOBAL ID：200903041204753516

多軸力覚センサ及び力覚センサの製造方法

Inventor：
金子 新二

About 金子 新二


Applicant, Patent owner：
オリンパス光学工業株式会社

About オリンパス光学工業株式会社


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000074701
Publication number (International publication number)：2001264198
Application date： Mar. 16, 2000
Publication date： Sep. 26, 2001
Summary：
【要約】【課題】本発明は、マイクロマニピュレータに適用可能な高感度で微小な多軸力覚センサ及び力覚センサの製造方法を提供する。【解決手段】本発明の一態様によると、平板状の半導体基板に設けられた複数の開口部と、前記半導体基板の外周からなる支持部と、前記支持部から前記半導体基板の中央に延在される弾性を有した連結部と、前記支持部の略中央にあり、前記支持部と前記連結部とにより接続された力作用部と、前記連結部上に設けられる歪検出素子とを有し、前記連結部はP型半導体にN型不純物をドープした拡散領域からなり、電気化学エッチングにより、前記支持部及び前記力作用部よりも薄く形成されていることを特徴とする多軸力覚センサが提供される。
Claim (excerpt)：
平板状の半導体基板に設けられた複数の開口部と、前記半導体基板の外周からなる支持部と、前記支持部から前記半導体基板の中央に延在される弾性を有した連結部と、前記支持部の略中央にあり、前記支持部と前記連結部とにより接続された力作用部と、前記連結部上に設けられる歪検出素子とを有し、前記連結部はP型半導体にN型不純物をドープした拡散領域からなり、電気化学エッチングにより、前記支持部及び前記力作用部よりも薄く形成されていることを特徴とする多軸力覚センサ。
IPC (2)：
G01L 5/16 ,  H01L 29/84
FI (2)：
G01L 5/16 ,  H01L 29/84 B
F-Term (19)：
2F051AA10 ,  2F051AB10 ,  2F051AC01 ,  2F051DA03 ,  2F051DB03 ,  4M112AA01 ,  4M112BA01 ,  4M112CA02 ,  4M112CA06 ,  4M112CA10 ,  4M112CA12 ,  4M112CA13 ,  4M112DA04 ,  4M112DA12 ,  4M112EA03 ,  4M112EA07 ,  4M112EA11 ,  4M112EA14 ,  4M112EA18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 力センサ付きマイクロマニピュレータ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-144202   Applicant：株式会社東海理化電機製作所, 新井史人
  • 力覚センサー
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-066468   Applicant：オリンパス光学工業株式会社
  • 特開昭61-223625
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