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J-GLOBAL ID：200903041205538392

窒化物半導体レーザ素子

Inventor： 妹尾 雅之 ,  坂本 恵司 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996284933
Publication number (International publication number)：1998135570
Application date： Oct. 28, 1996
Publication date： May. 22, 1998
Summary：

【要約】【目的】 放熱性が良く、さらに生産性に優れた窒化物半導体レーザ素子を提供することにあり、具体的には発光チップの基板を薄くして、発光チップの放熱性を向上させて、素子寿命を向上させる。【構成】 絶縁性基板上に、互いに異なる導電型を有する窒化物半導体層が積層されてなる窒化物半導体レーザ素子において、前記絶縁性基板の厚さが80μm以下に調整されてなり、特にスピネル基板にすると薄く研磨できて放熱性が高まる。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上に、互いに異なる導電型を有する窒化物半導体層が積層されてなる窒化物半導体レーザ素子において、前記絶縁性基板の厚さが80μm以下に調整されてなることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの切断方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-092403   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体レーザ素子の光共振面の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-022848   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 積層体のへき開方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-258009   Applicant：株式会社東芝