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J-GLOBAL ID：200903041301648832

半導体装置の製造方法及び絶縁膜の形成方法

Inventor： 青井 信雄
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998274620
Publication number (International publication number)：2000106357
Application date： Sep. 29, 1998
Publication date： Apr. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】 有機絶縁膜に対してエッチングを行なっても、有機絶縁膜が酸化しないようにする。【解決手段】 半導体基板100上に、第1の金属配線101、シリコン窒化膜102、有機成分を主成分とする第1の有機膜103、シリコン酸化膜104、有機成分を主成分とし且つパターン化された第2の有機膜105A、窒化チタン膜からなるマスクパターン108を形成した後、シリコン酸化膜104に対してエッチングを行なってパターン化されたシリコン酸化膜104Aを形成する。次に、パターン化された第2の有機膜105A及び第1の有機膜103に対して、H2O プラズマを用いるドライエッチングをそれぞれ行なって、パターン化された第2の有機膜105Aに配線溝111を形成すると共に、コンタクトホール110を有するパターン化された第1の有機膜103Aを形成する。

Claim (excerpt)：

基板上に有機成分を主成分とする有機絶縁膜を堆積する工程と、前記有機絶縁膜に対してH2O プラズマによりエッチングを行なって、前記有機絶縁膜をパターン化する工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/314

FI (4)：

H01L 21/302 N ,  H01L 21/312 A ,  H01L 21/314 A ,  H01L 21/265 Y

F-Term (26)：

5F004AA08 ,  5F004BB11 ,  5F004CA01 ,  5F004DA00 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004DB12 ,  5F004DB23 ,  5F004DB25 ,  5F004EA01 ,  5F004EA06 ,  5F004EB01 ,  5F058AA10 ,  5F058AB10 ,  5F058AD02 ,  5F058AD09 ,  5F058AD10 ,  5F058AD11 ,  5F058AE02 ,  5F058AF01 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AG02 ,  5F058AG04 ,  5F058AG06 ,  5F058AH02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 有機膜のエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-109083   Applicant：松下電子工業株式会社
• ポリマー基材の状態調整方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-095168   Applicant：インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイシヨン
• 特開昭58-087824