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J-GLOBAL ID：200903073618683870

有機膜のエッチング方法

Inventor： 佐々木 智幸 ,  二河 秀夫
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 宮井 暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996109083
Publication number (International publication number)：1997298183
Application date： Apr. 30, 1996
Publication date： Nov. 18, 1997
Summary：

【要約】【課題】 ホトレジストに対する有機膜のエッチング速度の選択比を高くしてエッチング精度を向上することができる有機膜のエッチング方法法を提供する。【解決手段】 半導体基板11の表面上に形成された有機膜のアクリル樹脂13にホトレジスト14をパターン形成し、硫黄または水素を含むガスでアクリル樹脂13を加水分解することによりドライエッチングする。このように、硫黄または水素を含むガスでアクリル樹脂13をドライエッチングすることにより、アクリル樹脂13に硫黄または水素を含むガスが反応して加水分解し、一方、ホトレジスト14は加水分解反応が起こり難いため、ホトレジスト14に比べアクリル樹脂13を選択的にエッチングすることができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面上に形成された有機膜にホトレジストをパターン形成し、硫黄を含むガスで前記有機膜を加水分解することによりドライエッチングすることを特徴とする有機膜のエッチング方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 27/14

FI (3)：

H01L 21/302 F ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 27/14 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• ドライエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-307325   Applicant：ソニー株式会社
• パターニング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-157215   Applicant：三菱マテリアル株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-277320   Applicant：日本電気株式会社