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J-GLOBAL ID：200903041342563221

絶縁膜の形成方法

Inventor： 黒澤 宏 ,  横谷 篤至 ,  武藤 弘之 ,  宮野 淳一
Applicant, Patent owner： 黒澤 宏 ,  横谷 篤至 ,  有限会社宮崎マシンデザイン ,  株式会社マイクロ電子サービス ,  宮崎ダイシンキャノン株式会社 ,  宮崎県 ,  宮崎沖電気株式会社 ,  沖電気工業株式会社
Agent (1)： 衞藤 彰
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000013555
Publication number (International publication number)：2001210638
Application date： Jan. 21, 2000
Publication date： Aug. 03, 2001
Summary：

【要約】【課題】 有機系酸化膜形成ガスの存在下エキシマ光により、ウエハ表面に損傷が少なく、かつ不純物が少ない良質な絶縁膜を形成する。【解決手段】 ウエハ上に有機系酸化膜形成ガスの存在下、エキシマ光により絶縁膜を形成するに際し酸素を含むガスを添加する。酸素を含むガスは、エキシマ光のフォトンエネルギーにより、ラジカル酸素またはオゾン(O3)となり、例えばTEOS中の炭素(C)等と反応して、ウエハ酸化膜中の有機系不純物を減少させる。またランプに近いエキシマ光取出窓部材近傍では、エキシマ光の照度が高く、ラジカル酸素またはオゾン(O3)がより発生し易いため、窓部材の酸化膜の堆積を選択的に抑制し、光出力の経時的減衰を効果的に抑制するので、これによりウエハ上の酸化膜形成が損なわれることもない。

Claim (excerpt)：

有機系酸化膜形成ガスの存在下、エキシマ光により被処理物表面に絶縁膜を形成するに際し、酸素を含むガスを添加することを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/48

FI (3)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/48

F-Term (17)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA29 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA06 ,  4K030LA02 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF05 ,  5F058BF25 ,  5F058BF29 ,  5F058BF40 ,  5F058BG01 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開平3-271372
  
• 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-238845   Applicant：株式会社東芝
• 金属化合物薄膜の成膜方法及びそのパタ-ニング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-091989   Applicant：株式会社ジャパンエナジー

Cited by examiner (2)

• 特開平3-271372
  
• 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-238845   Applicant：株式会社東芝