結晶成長用基板とこれを用いた結晶成長方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007230370
Publication number (International publication number)：2009062216
Application date： Sep. 05, 2007
Publication date： Mar. 26, 2009
Summary：

【課題】配向膜の大型化および低コスト化を可能にする結晶成長用基板を提供すること。【解決手段】本発明による結晶成長用基板は、基材と、基材上に位置し、層状化合物から剥離されたナノシート単層膜とからなることを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

表面にバッファ層が形成されてなる結晶成長用基板であって、前記バッファ層が二次元結晶からなるナノシート単層膜からなることを特徴とする結晶成長用基板。

IPC (3)：

C30B 29/16 , C30B 29/32 , C30B 1/02

FI (3)：

C30B29/16 , C30B29/32 C , C30B1/02

F-Term (16)：

4G077AA03 , 4G077BB04 , 4G077BB07 , 4G077BC42 , 4G077CA03 , 4G077CA09 , 4G077ED06 , 4G077EF02 , 4G077EF03 , 4G077HA02 , 4G077HA03 , 4G077HA06 , 4G077HA11 , 4G077JA03 , 4G077JA06 , 4G077JB07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

窒化物半導体用基板及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-211017 Applicant：関西ティー・エル・オー株式会社

Cited by examiner (2)

多孔質酸化チタン薄膜とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-132502 Applicant：日本原子力研究所
アナターゼナノ結晶とその薄膜、及びこれらの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-026910 Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

Show all

Return to Previous Page