窒化物半導体用基板及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：小林良平 , 竹内尚恒
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002211017
Publication number (International publication number)：2004055811
Application date： Jul. 19, 2002
Publication date： Feb. 19, 2004
Summary：

【課題】大面積化が可能で且つ安価であり、その上に形成される結晶の配向性を高くすることができる、窒化物半導体用基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】石英ガラス基板11に窒素プラズマ15を照射する。これにより、石英ガラス基板11表面に窒化珪素層12が形成された窒化物半導体用基板10が得られる。この基板上にGaN等の窒化物半導体層を形成すると、その窒化物半導体は優れたc軸配向性を示す。この窒化物半導体用基板により、従来GaN半導体に用いられてきたサファイア基板やSiC基板よりも安価で且つ大面積化が可能な、石英ガラス基板を用いた窒化物半導体の製造が可能になった。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

石英ガラス基板表面に窒化珪素層が形成されていることを特徴とする窒化物半導体用基板。

IPC (6)：

H01L21/31 , H01L21/20 , H01L21/203 , H01L21/205 , H01L33/00 , H01S5/323

FI (6)：

H01L21/31 C , H01L21/20 , H01L21/203 M , H01L21/205 , H01L33/00 C , H01S5/323 610

F-Term (34)：

5F041AA14 , 5F041CA23 , 5F041CA40 , 5F041CA66 , 5F045AA20 , 5F045AB33 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AF07 , 5F045BB12 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045EH17 , 5F052DA04 , 5F052KA01 , 5F052KA06 , 5F073CB03 , 5F073CB07 , 5F073DA06 , 5F073EA29 , 5F103AA04 , 5F103DD30 , 5F103GG01 , 5F103HH04 , 5F103LL02 , 5F103LL03 , 5F103NN10 , 5F103RR06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-181887 Applicant：昭和電工株式会社
薄膜光回路素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-057202 Applicant：セイコーエプソン株式会社
半導体発光素子、およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-343057 Applicant：株式会社村田製作所

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