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J-GLOBAL ID：200903041382423783

キャパシタを備えた半導体素子及びその製造方法

Inventor： 梁 飛 龍 ,  洪 錫 敬 ,  李 承 錫 ,  姜 南 守
Applicant, Patent owner： 現代電子産業株式会社
Agent (1)： 瀬谷 徹 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000399598
Publication number (International publication number)：2001196551
Application date： Dec. 27, 2000
Publication date： Jul. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】 パッシベーション工程で発生された水素がキャパシタ内部に拡散されることを効果的に防止することのできる、キャパシタを備えた半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 トランジスタとトランジスタ周辺に形成される第1絶縁膜116とからなる活性マトリックス110と、下部電極120Aと下部電極上に形成されるキャパシタ薄膜122A及びキャパシタ薄膜上に形成された上部電極124Aとからなり、第1絶縁膜上に形成されるキャパシタ構造150と、トランジスタとキャパシタ構造上とに形成される第2絶縁膜126と、トランジスタとキャパシタ構造とを電気的に接続し、第2絶縁膜上に形成される金属配線136と、水素拡散を防止するためにキャパシタ構造上に形成される水素拡散防止膜142とを含んでなる。

Claim (excerpt)：

トランジスタと前記トランジスタ周辺に形成される第1絶縁膜とからなる活性マトリックスと、下部電極と前記下部電極上に形成されるキャパシタ薄膜及び前記キャパシタ薄膜上に形成された上部電極とからなり、前記第1絶縁膜上に形成されるキャパシタ構造と、前記トランジスタと前記キャパシタ構造上とに形成される第2絶縁膜と、前記トランジスタと前記キャパシタ構造とを電気的に接続し、前記第2絶縁膜上に形成される金属配線と、水素拡散を防止するために前記キャパシタ構造上に形成される水素拡散防止膜とを含んでなることを特徴とするキャパシタを備えた半導体素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 半導体メモリ素子のキャパシタ構造及びその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-276782   Applicant：ソニー株式会社
• 特開平4-102367
  
• 半導体記憶装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-099807   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-176444   Applicant：松下電子工業株式会社
• 水素バリヤ層及び半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-183284   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-010253   Applicant：株式会社東芝