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J-GLOBAL ID：200903041410029778

半導体装置の製造方法

Inventor：
上田 多加志

About 上田 多加志


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996043228
Publication number (International publication number)：1997237833
Application date： Feb. 29, 1996
Publication date： Sep. 09, 1997
Summary：
【要約】【課題】 ECR-SiO2 膜からなる層間絶縁膜の耐水性を向上させることを課題とする。【解決手段】 下層金属配線3上にECRプラズマCVD法により酸化シリコン膜からなる層間絶縁膜4を形成し、フォトレジストをマスクとしてエッチングによりコンタクトホール6を形成し、フォトレジストを酸素プラズマ又はオゾンて処理して除去し、シリル化剤により処理してコンタクトホール内の下層金属配線3と層間絶縁膜4の表面にシリル化層7を形成し、次いでコンタクトホール内の下層金属配線3の表面のシリル化層7を除去した後、層間絶縁膜4上に上層金属配線8を形成することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
少なくとも下層金属配線、層間絶縁膜、上層金属配線、及び下層金属配線と上層金属配線とを接続するためのコンタクトホールを有する半導体装置の製造方法であって、下層金属配線上にECRプラズマCVD法により酸化シリコン膜からなる層間絶縁膜を形成し、フォトレジストをマスクとしてエッチングによりコンタクトホールを形成し、フォトレジストを酸素プラズマ又はオゾンて処理して除去し、シリル化剤により処理してコンタクトホール内の下層金属配線と層間絶縁膜の表面にシリル化層を形成し、次いでコンタクトホール内の下層金属配線の表面のシリル化層を除去した後、層間絶縁膜上に上層金属配線を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
FI (2)：
H01L 21/90 B ,  H01L 21/90 P
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-159666   Applicant：川崎製鉄株式会社
  • 特開平4-073953
  • 半導体素子の層間絶縁膜の形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-087659   Applicant：株式会社神戸製鋼所
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