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J-GLOBAL ID：200903041418369349

半導体デバイスの製造方法

Inventor： 野田 孝暁 ,  諸橋 明 ,  朝日 順司
Applicant, Patent owner： 株式会社日立国際電気
Agent (1)： 和泉 良彦 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002291517
Publication number (International publication number)：2003178992
Application date： Oct. 03, 2002
Publication date： Jun. 27, 2003
Summary：

【要約】【課題】モノシランと三塩化ホウ素とを使用し、減圧CVD法によってボロンドープシリコン膜を成膜する半導体デバイスの製造方法であって、膜厚面内均一性が良好なボロンドープシリコン膜の作製を可能とする半導体デバイスの製造方法を提供すること。【解決手段】ヒータ6によって加熱された反応炉10内のボート3に搭載されたウェハ4に、減圧下、モノシランと三塩化ホウ素とを含有するガスを作用させて、ウェハ4の表面にボロンドープシリコン膜を堆積させる半導体デバイスの製造方法において、反応炉10内温度を460°C以上600°C未満とすることを特徴とする半導体デバイスの製造方法を構成する。

Claim (excerpt)：

反応ガスとしてモノシランと三塩化ホウ素とを使用し、反応炉内において、CVD法によって基板上にボロンドープシリコン膜を成膜する半導体デバイスの製造方法において、前記ボロンドープシリコン膜成膜時における前記反応炉内温度を460°C以上600°C未満とすることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24

FI (2)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24

F-Term (23)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA20 ,  4K030BA26 ,  4K030BA29 ,  4K030BB03 ,  4K030BB05 ,  4K030JA01 ,  4K030JA07 ,  4K030JA10 ,  4K030LA11 ,  5F045AA03 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045BB01 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EE20 ,  5F045EK26

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体ウエーハの段のある表面にドープされたポリシリコン層を形成する製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-168056   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテツド

Cited by examiner (2)

• 半導体装置の製造方法および半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-084501   Applicant：株式会社東芝
• 拡散装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-236399   Applicant：国際電気株式会社