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J-GLOBAL ID：200903041475768152
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995277320
Publication number (International publication number)：1997120953
Application date： Oct. 25, 1995
Publication date： May. 06, 1997
Summary：
【要約】【課題】金属膜と有機膜から成る反射防止膜の積層膜のエッチングを行う場合、高選択比のエッチング及び金属膜の配線幅制御が容易にできない。【解決手段】シリコン基板1上に絶縁膜2を形成し、その上にWSi膜3を形成する。次に、有機膜から成る反射防止膜4と厚さ700nmのフォトレジスト膜5を形成しパターニングする。次に、フォトレジスト膜5をマスクとして反射防止膜4並びにWSi膜3を塩素ガスプラズマ6を用いてドライエッチングする。その後、酸素プラズマ7により、フォトレジスト膜5並びに反射防止膜4を灰化して完全に剥離する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に絶縁膜と金属膜と有機膜からなる反射防止膜とを順次形成したのち、この反射防止膜と金属膜とをエッチングし配線を形成する半導体装置の製造方法において、ハロゲンガス及びハロゲン化水素ガスから成る群から選択された少くとも一種類の反応ガスを用い前記反射防止膜と前記金属膜とを同一装置内で連続してドライエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/3065
, H01L 21/28 301
, H01L 21/3213
H01L 21/302 F
, H01L 21/28 301 T
, H01L 21/302 H
, H01L 21/302 G
, H01L 21/88 D
