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J-GLOBAL ID：200903041488690810
炭化珪素半導体装置の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (2)：
山田 卓二
, 中野 晴夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005156916
Publication number (International publication number)：2006332495
Application date： May. 30, 2005
Publication date： Dec. 07, 2006
Summary：
【課題】 バンチングステップ等の表面荒れを発生させることなく、不純物注入層の活性化率を十分に高くする炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 炭化珪素半導体装置の製造方法が、炭化珪素基板を準備する工程と、炭化珪素基板に不純物イオンを注入する工程と、炭化珪素基板を熱処理する熱処理工程とを含む。熱処理工程は、水素ガスとアルキル系炭化水素ガスとの混合ガス雰囲気で行われる。アルキル系炭化水素ガスは、例えばプロパンガスからなる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
炭化珪素基板を準備する工程と、
該炭化珪素基板に不純物イオンを注入する工程と、
該炭化珪素基板を熱処理する熱処理工程とを含み、
該熱処理工程が、水素ガスとアルキル系炭化水素ガスとの混合ガス雰囲気で行うことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 29/872
, H01L 29/47
, H01L 21/265
H01L29/48 D
, H01L21/265 602A
, H01L21/265 602B
, H01L21/265 Z
4M104AA03
, 4M104CC03
, 4M104DD26
, 4M104FF35
, 4M104GG03
Cited by applicant (1)
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炭化珪素半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2003-160054
Applicant：富士電機ホールディングス株式会社
Cited by examiner (2)
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