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J-GLOBAL ID：200903046253794610
炭化珪素半導体素子の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
酒井 昭徳
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003160054
Publication number (International publication number)：2004363326
Application date： Jun. 04, 2003
Publication date： Dec. 24, 2004
Summary：
【課題】逆方向バイアス時に漏れ電流が増加するのを抑制すること。【解決手段】4H-SiCよりなるn型基板1およびその表面に成長させたn型エピタキシャル層2よりなるウェハ3に、マスク4を介して、Al+イオン5を注入し、イオン注入層6を形成する。このウェハ3を、1気圧のAr雰囲気中で1700°C、30分間熱処理して、注入されたAl原子を活性化させる。つづいて、1800°Cで、水素流量が毎分10リットルで、圧力が3kPaの雰囲気中で2分間のエッチングをおこない、ウェハ3の表面の膜質低下層7を除去する。最後に、基板裏面にオーミック電極8を形成し、基板表面にショットキー電極9を形成する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
炭化珪素半導体基板の表面層に不純物イオンを注入する工程と、
熱処理をおこなって、炭化珪素半導体基板に注入された不純物を活性化させる工程と、
水素を含む雰囲気中で基板表面をエッチングして、前記熱処理時に基板表面に生じた膜質低下層を除去する工程と、
前記膜質低下層が除去された表面に電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする炭化珪素半導体素子の製造方法。
IPC (4)：
H01L29/47
, H01L21/265
, H01L21/28
, H01L29/872
H01L29/48 D
, H01L21/265 602A
, H01L21/28 A
, H01L21/265 Z
, H01L29/48 P
4M104AA03
, 4M104CC03
, 4M104DD22
, 4M104FF35
, 4M104GG03
