半導体装置、およびその半導体装置を用いた電力変換器、駆動用インバータ、汎用インバータ、大電力高周波通信機器

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003307747
Publication number (International publication number)：2005079339
Application date： Aug. 29, 2003
Publication date： Mar. 24, 2005
Summary：

【課題】基板の結晶面方位を規定して表面の微細な凹凸を抑制した炭化珪素基板上のエピタキシャル相に半導体装置を形成することによって、その電気的特性を改善する。【解決手段】炭化珪素半導体基板上に形成する半導体装置として、基板の(000-1)面から0°以上1°未満傾斜した面上に成長したエピタキシャル層に、P型あるいはN型領域をイオン注入により選択的に形成して製造したダイオード、トランジスターなどとする。エピタキシャル層は、1400°Cから1600°Cの温度の水素とプロパンの混合ガス雰囲気中で熱処理して、表面のステップの高さを1nm以下とし、また、そのエピタキシャル層は、シランとプロパンガスの気相反応により形成するが、その気相反応の雰囲気は、炭素(C)の珪素(Si)に対する原子密度の組成比が1以下であるようにする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

炭化珪素半導体基板上に形成された半導体装置であって、その基板は、炭化珪素半導体基板の(000-1)面から0°以上1°未満傾斜した面上に成長したエピタキシャル層を有し、上記のエピタキシャル層に、P型半導体領域あるいはN型半導体領域の少なくとも一方がイオン注入により選択的に形成され、上記のP型半導体領域あるいはN型半導体領域の表層に接触するように金属電極が形成され、上記の金属電極と上記のP型半導体領域あるいはN型半導体領域との間で整流作用を示すショットキー・バリア・ダイオード、あるいは、PN型ダイオード、であることを特徴とする半導体装置。

IPC (7)：

H01L29/47 , H01L21/28 , H01L21/329 , H01L29/78 , H01L29/80 , H01L29/861 , H01L29/872

FI (8)：

H01L29/48 P , H01L21/28 301B , H01L29/78 652T , H01L29/78 301B , H01L29/91 A , H01L29/91 C , H01L29/91 F , H01L29/80 V

F-Term (61)：

4M104AA03 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB03 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104CC05 , 4M104DD06 , 4M104DD16 , 4M104DD79 , 4M104DD81 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104FF02 , 4M104FF22 , 4M104FF35 , 4M104GG02 , 4M104GG03 , 4M104GG08 , 4M104GG11 , 4M104GG18 , 4M104HH12 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD04 , 5F102GJ02 , 5F102GR01 , 5F102HC01 , 5F102HC07 , 5F102HC21 , 5F140AA05 , 5F140AA24 , 5F140AA30 , 5F140AB06 , 5F140AC21 , 5F140AC23 , 5F140BA02 , 5F140BA16 , 5F140BA20 , 5F140BC12 , 5F140BD04 , 5F140BD17 , 5F140BE07 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BH14 , 5F140BH21 , 5F140BH30 , 5F140BH43 , 5F140BJ01 , 5F140BJ05 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK29 , 5F140BK33 , 5F140CA03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

米国特許第4912064号
米国特許第5011549号
米国特許第6329088号

Cited by examiner (5)

炭化珪素基板およびその製造方法、並びに炭化珪素基板を用いた半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-241899 Applicant：松下電器産業株式会社
SiCショットキーダイオードおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-226065 Applicant：富士電機株式会社
SiC半導体の表面モホロジー制御方法およびSiC半導体薄膜の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-084510 Applicant：富士電機株式会社

Show all

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

SiC素子の基礎と応用, 20030326, 71-73, 86-89, 192-199, 242, 243
SiC素子の基礎と応用, 20030326, 71-73, 86-89, 192-199, 242, 243
SiC素子の基礎と応用, 20030326, 71-73, 86-89, 192-199, 242, 243

Return to Previous Page