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J-GLOBAL ID：200903041719018762

薄膜半導体装置およびその製造方法

Inventor：
河北 哲郎

About 河北 哲郎


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999083320
Publication number (International publication number)：2000275678
Application date： Mar. 26, 1999
Publication date： Oct. 06, 2000
Summary：
【要約】【課題】 薄膜トランジスタ(TFT)の性能で移動度を向上させるためにはゲート絶縁膜を薄くしていく方向で進められている。しかしゲート絶縁膜を薄くしていくとゲートリーク等の課題があり、安定かつ信頼性の高いTFTを得ることが難しくなってくる。よってゲート絶縁膜を薄くするのも限界がある。【解決手段】 ゲート絶縁膜に高誘電率絶縁材料、もしくはこの材料を含んだ積層構造とする。これによって厚い膜厚でも高い容量が得ることができ、結果として高い移動度のTFTを実現する子ができる。
Claim (excerpt)：
ソース領域、ドレイン領域、ゲート領域を有する薄膜半導体装置であって、半導体層、ゲート絶縁膜層、ゲート電極層の順番で下層から積層され、前記ゲート絶縁膜がシリコン酸化膜より少なくとも誘電率が2倍以上高い材料で構成されたことを特徴とした薄膜半導体装置。
IPC (3)：
G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (4)：
G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 617 V ,  H01L 29/78 617 U
F-Term (43)：
2H092JA25 ,  2H092JA28 ,  2H092JA34 ,  2H092JA36 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JA46 ,  2H092JB56 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA11 ,  2H092KB25 ,  2H092MA08 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE06 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL02 ,  5F110NN02 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ30
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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