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J-GLOBAL ID：200903041796399329

絶縁膜構造およびその製造方法

Inventor：
長谷川 利昭

About 長谷川 利昭


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994310136
Publication number (International publication number)：1996167650
Application date： Dec. 14, 1994
Publication date： Jun. 25, 1996
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、低誘電率材料を用いた絶縁膜の耐水性の向上を図るとともに、0.25μmプロセスへの対応を可能にする。【構成】 絶縁膜構造は、基板11上に設けた導電層12を被覆するもので20Z(zeta)atom/cm3 以上100Zatom/cm3 以下の水素原子を含む酸化シリコンからなる保護膜13と、導電層12による段差12Aを埋め込みかつ保護膜13を被覆する低誘電体層14とからなる。上記保護膜13は10nm以上100nm以下の膜厚に形成される。さらに保護膜13の表層に1.0nm以上2.0nm以下の膜厚の窒化層(図示省略)を形成してもよい。
Claim (excerpt)：
基板上に設けた導電層を被覆する状態に形成した保護膜と、該導電層による段差を埋め込みかつ該保護膜を被覆する状態に形成した低誘電体層とを備えた絶縁膜構造において、前記保護膜は20Zatom/cm3 以上100Zatom/cm3 以下の水素原子を含む酸化シリコンからなることを特徴とする絶縁膜構造。
IPC (2)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/318
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (11)
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-088880   Applicant：株式会社東芝
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-329912   Applicant：日本電信電話株式会社
  • 特開昭63-208248
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