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J-GLOBAL ID：200903041831969605

ショットキーバリアダイオードおよび半導体モジュール

Inventor： 木ノ内 伸一
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000286935
Publication number (International publication number)：2002100784
Application date： Sep. 21, 2000
Publication date： Apr. 05, 2002
Summary：

【要約】【課題】 ショットキー界面の構造が変化しないダイオード等を提供する。【解決手段】 一方の面に凹凸が付されたアノード電極と、アノード電極の他方の面の第1の領域に接合されたp型半導体層と、アノード電極の他方の面の第2の領域に接合されたn型半導体層と、カソード電極とを備えたショットキーバリアダイオードであって、アノード電極の凸部分が、p型半導体層の上に位置するよう配置されているショットキーバリアダイオード等を提供する。

Claim (excerpt)：

一方の面に凹凸が付されたアノード電極と、前記アノード電極の他方の面の第1の領域に接合されたp型半導体層と、前記アノード電極の他方の面の第2の領域に接合されたn型半導体層と、カソード電極とを備えたショットキーバリアダイオードであって、前記アノード電極の凸部分が、前記p型半導体層の上に位置するよう配置されているショットキーバリアダイオード。

IPC (3)：

H01L 29/872 ,  H01L 23/58 ,  H01L 29/93

FI (4)：

H01L 29/93 S ,  H01L 29/48 F ,  H01L 23/56 C ,  H01L 29/48 D

F-Term (6)：

4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104CC03 ,  4M104FF06 ,  4M104FF09 ,  4M104HH20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-102087   Applicant：富士電機株式会社
• ショットキーバリア半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-228454   Applicant：ローム株式会社
• SiCショットキーダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-284780   Applicant：株式会社日立製作所, 関西電力株式会社