有機半導体単結晶を用いた電界効果デバイスおよびその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (4)：鈴木俊一郎 , 牧村浩次 , 鈴木亨 , 八本佳子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004082834
Publication number (International publication number)：2005268715
Application date： Mar. 22, 2004
Publication date： Sep. 29, 2005
Summary：

【課題】機械的柔軟性、発光素子や受光素子との適合性、価格競争力などに優れ、様々な有機半導体材料を選択できる自由度および急峻なスイッチング特性を有する、有機半導体単結晶を用いた電界効果デバイスおよび該電界効果デバイスの製造方法を提供すること。【解決手段】本発明に係る電界効果デバイスは、絶縁膜および複数の電極を有する基板と、該基板とは別々に作製された有機半導体単結晶とからなり、該絶縁膜と有機半導体単結晶とが、静電引力または機械的な力で接着されていることを特徴とする。本発明に係る電界効果デバイスの製造方法は、絶縁膜および複数の電極を有する基板と、有機半導体単結晶とを別々に作製した後、該有機半導体単結晶とゲート絶縁膜とを静電引力または機械的な力でソフトに接着することを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

絶縁膜および複数の電極を有する基板と、該基板とは別々に作製された有機半導体単結晶とからなり、該絶縁膜と有機半導体単結晶とが、静電引力または機械的な力で接着されていることを特徴とする電界効果デバイス。

IPC (3)：

H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/00

FI (3)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 627D , H01L29/28

F-Term (19)：

5F110AA01 , 5F110AA16 , 5F110CC01 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE08 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110FF36 , 5F110GG05 , 5F110GG12 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK32 , 5F110HK42 , 5F110QQ16

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

薄膜トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-341347 Applicant：株式会社日立製作所
有機半導体材料及び有機電子デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-084816 Applicant：三菱化学株式会社

Cited by examiner (5)

薄膜トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-350697 Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
有機整流素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-089993 Applicant：日本写真印刷株式会社
有機半導体材料及び有機電子デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-084816 Applicant：三菱化学株式会社

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