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J-GLOBAL ID：200903000560833186

表示装置およびその作製方法

Inventor：
山崎 舜平

About 山崎 舜平

, 
浜田 崇

About 浜田 崇


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002232846
Publication number (International publication number)：2004070223
Application date： Aug. 09, 2002
Publication date： Mar. 04, 2004
Summary：
【課題】薄膜トランジスタが作り込まれた基体上に、電子ビーム蒸着法で薄膜を形成する際に、薄膜トランジスタの特性異常を招くことなく所望の薄膜を形成するための技術を提供することを課題とする。【解決手段】トランジスタと電気的に接続する電極上に、電子ビーム蒸着法により薄膜を形成するに当たり、薄膜を形成する蒸着材料に電子ビームを照射したときに、当該蒸着材料から放射される放射線が成膜表面に放射される時間を短くするために、成膜速度を制御することを特徴とするものである。実質的には、電子線の電流値を制御して成膜速度を高め、成膜表面に放射線が放射される時間を短くして、薄膜トランジスタの劣化を抑制するものである。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
スイッチングTFT、駆動TFT、第1電極、および発光体を間に挟んで形成された第2電極を有する表示装置において、 前記スイッチングTFTはnチャネル型TFTであり、前記駆動TFTはpチャネル型TFTであって、 前記第2電極の成膜前後における前記nチャネル型TFTのしきい値電圧の変化は0〜-1Vの範囲内であり、 前記pチャネル型TFTのしきい値電圧の変化は0〜-1.7Vの範囲内であり、 前記nチャネル型TFTのS値の変化は0〜0.1V/dec.の範囲内であり、 前記pチャネル型TFTのS値の変化は0〜0.1V/dec.の範囲内であることを特徴とする表示装置。
IPC (5)：
G09F9/30 ,  H01L21/285 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786 ,  H05B33/14
FI (6)：
G09F9/30 338 ,  G09F9/30 365Z ,  H01L21/285 P ,  H05B33/14 A ,  H01L29/50 M ,  H01L29/78 612A
F-Term (46)：
3K007AB11 ,  3K007BA06 ,  3K007CC00 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  3K007GA00 ,  4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB07 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104CC01 ,  4M104DD35 ,  4M104GG04 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG20 ,  4M104HH11 ,  5C094AA53 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094DA09 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094FB14 ,  5C094HA08 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110HM15 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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