Pat

J-GLOBAL ID：200903018635884624

電界効果トランジスター、その製造方法及び該電界効果トランジスターを製造するための積層体

Inventor： 藤田 克彦 ,  安田 剛 ,  筒井 哲夫
Applicant, Patent owner： 株式会社産学連携機構九州
Agent (1)： 苗村 新一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002058598
Publication number (International publication number)：2003258264
Application date： Mar. 05, 2002
Publication date： Sep. 12, 2003
Summary：

【要約】【課題】 フォトリソグラフィ技術が適用可能な固体基板上に作製した回路配線をプラスチック等の有機材料基板上へ配線構造を損なうことなく移し取ることができ、絶縁層を含む多層構造の構築が可能で、しかも基板からの回路配線の脱落を抑制する接着層を設けた構造の素子作製にも対応できる電界効果トランジスターの製造方法、及び生産のエネルギーコストが低く、フレキシブルな素子構造を実現可能な電界効果トランジスターを製造するための積層体、並びに電界効果トランジスターを提供する。【解決手段】 基板2の一方の面に第一の電極5を形成する工程と、基板2の第一の電極5が形成された側の面に、少なくとも第一の電極5を含む領域を覆うよう有機薄膜6を形成する工程と、有機薄膜6の表面に第二の電極7を形成する工程と、基板2を第一の電極5及び第二の電極7を有する有機薄膜6から脱離する工程と、基板2を脱離した有機薄膜6の第一の電極5側の面に有機半導体9を積層する工程と、を有する電界効果トランジスターの製造方法。

Claim (excerpt)：

基板の一方の面に第一の電極を形成する工程と、基板の第一の電極が形成された側の面に、少なくとも第一の電極を含む領域を覆うよう有機薄膜を形成する工程と、有機薄膜の表面に第二の電極を形成する工程と、基板を第一の電極及び第二の電極を有する有機薄膜から脱離する工程と、基板を脱離した有機薄膜の第一の電極側の面に有機半導体を積層する工程と、を有する電界効果トランジスターの製造方法。

IPC (5)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/417 ,  H01L 51/00

FI (6)：

H01L 21/28 E ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/28 ,  H01L 29/50 M ,  H01L 29/78 627 D

F-Term (54)：

4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB16 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD68 ,  4M104EE18 ,  4M104GG09 ,  5F110AA04 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK11 ,  5F110HK14 ,  5F110HK16 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110QQ14 ,  5F110QQ16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 有機電子素子の製造方法、および、該製造方法により製造された有機電子素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-185816   Applicant：富士ゼロックス株式会社
• 複合部材の分離方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-231781   Applicant：キヤノン株式会社
• 電界効果トランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-264313   Applicant：三菱電機株式会社
• コプラナー型半導体装置とそれを用いた表示装置および製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-055997   Applicant：株式会社日立製作所
• 集積回路デバイスの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-372277   Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
• 電界効果型トランジスタ並びにそれを用いた液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-076693   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平4-357877