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J-GLOBAL ID：200903041884203116

低抵抗透明導電膜の製造法

Inventor：
川村 裕明

About 川村 裕明

, 
竹井 日出夫

About 竹井 日出夫

, 
石橋 暁

About 石橋 暁


Applicant, Patent owner：
株式会社アルバック

About 株式会社アルバック


Agent (1)： 打揚 洋次 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002050299
Publication number (International publication number)：2003249132
Application date： Feb. 26, 2002
Publication date： Sep. 05, 2003
Summary：
【要約】【課題】 焼結温度が低く、かつ、焼結後の電気抵抗が小さい薄膜状透明導電膜の製造法の提供。【解決手段】 透明導電膜形成用金属酸化物の各成分金属の少なくとも1種の金属の微粒子又は該各成分金属からなる少なくとも1種の合金の微粒子の分散液を被処理基板上に塗布した後、大気圧の酸素ガス若しくはオゾンガス雰囲気中、又はヘリウムガスに酸素ガス若しくはオゾンガスを添加したガスのプラズマ雰囲気中、150〜250°Cで加熱し、酸化と燒結とを同時に行い、金属酸化物からなる透明導電膜を形成する。
Claim (excerpt)：
透明導電膜形成用金属酸化物の各成分金属の少なくとも1種の金属の微粒子又は該各成分金属からなる少なくとも1種の合金の微粒子の分散液を調製し、この分散液を被処理基板上に塗布した後、大気圧の酸素ガス若しくはオゾンガス雰囲気中、又は不活性ガスに酸素ガス若しくはオゾンガスを添加したガスのプラズマ雰囲気中、150〜250°Cで加熱し、酸化と燒結とを同時に行い、金属酸化物からなる透明導電膜を形成することを特徴とする低抵抗透明導電膜の製造法。
IPC (4)：
H01B 13/00 503 ,  G02F 1/1343 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/28
FI (4)：
H01B 13/00 503 B ,  G02F 1/1343 ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/28
F-Term (16)：
2H092HA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA06 ,  2H092MA10 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  3K007AB05 ,  3K007AB18 ,  3K007CB01 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  5G323BA01 ,  5G323BA02 ,  5G323BB02 ,  5G323BC01 ,  5G323BC03
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
  • 透明導電膜の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-049634   Applicant：富士写真フイルム株式会社
  • 導電性金属酸化物に基づく層
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-043007   Applicant：アグフア-ゲヴエルト・ナームローゼ・フエンノートシヤツプ
  • 特開昭51-069188
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Cited by examiner (6)
  • 透明導電膜の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-049634   Applicant：富士写真フイルム株式会社
  • 導電性金属酸化物に基づく層
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-043007   Applicant：アグフア-ゲヴエルト・ナームローゼ・フエンノートシヤツプ
  • 特開昭51-069188
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