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J-GLOBAL ID:200903071264444381
透明導電膜の製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
特許業務法人特許事務所サイクス (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002049634
Publication number (International publication number):2003249131
Application date: Feb. 26, 2002
Publication date: Sep. 05, 2003
Summary:
【要約】【課題】 金属のナノ粒子を用い、塗布により、比抵抗値が低く、且つ光透過率の高い透明導電膜の製造方法を提供する。【解決手段】 金属ナノ粒子を含有する塗布液を、基板上に塗布して塗布層を形成する塗布工程と、該塗布層を乾燥する乾燥工程と、前記塗布層を焼成して透明導電膜とする焼成工程とを含み、前記塗布工程、前記乾燥工程および前記焼成工程のいずれかの工程で、前記金属ナノ粒子の金属が酸化されて金属酸化物となることを特徴とする透明導電膜の製造方法である。
Claim (excerpt):
金属ナノ粒子を含有する塗布液を、基板上に塗布して塗布層を形成する塗布工程と、該塗布層を乾燥する乾燥工程と、前記塗布層を焼成して透明導電膜とする焼成工程とを含み、前記塗布工程、前記乾燥工程および前記焼成工程のいずれかの工程で、前記金属ナノ粒子の金属が酸化されて金属酸化物となることを特徴とする透明導電膜の製造方法。
IPC (4):
H01B 13/00 503
, C01B 13/32
, C01G 19/00
, C01G 30/00
FI (4):
H01B 13/00 503 B
, C01B 13/32
, C01G 19/00 A
, C01G 30/00
F-Term (18):
4G042DA01
, 4G042DA02
, 4G042DB08
, 4G042DC01
, 4G042DD02
, 4G042DD04
, 4G042DE03
, 4G042DE04
, 4G042DE14
, 4G048AA03
, 4G048AB02
, 4G048AC04
, 4G048AD02
, 4G048AE06
, 5G323BA01
, 5G323BB01
, 5G323BB02
, 5G323BC01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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導電性金属酸化物に基づく層
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-043007
Applicant:アグフア-ゲヴエルト・ナームローゼ・フエンノートシヤツプ
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透明導電膜および表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-182874
Applicant:住友大阪セメント株式会社
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低抵抗透明導電膜の製造法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-050299
Applicant:株式会社アルバック
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