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J-GLOBAL ID：200903041972421905

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 戎谷 隆 ,  栂嵜 隆 ,  清水 征三郎 ,  高橋 邦明
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995271192
Publication number (International publication number)：1997115911
Application date： Oct. 19, 1995
Publication date： May. 02, 1997
Summary：

【要約】【目的】 メッキ法を使用せずに、半導体装置の接続パッド上に、バリアメタル層及び突起電極を形成、信頼性の高い半導体装置を得る。【構成】 バリアメタル層またはハンダ材料層を、弾性を有する樹脂シート上に配置し、雄型を用いて樹脂シート上に打ち抜き、半導体装置の接続パッドと位置合せして接続パッド上に転写する。

Claim (excerpt)：

第1の金属を含む複数の接続パッドと該接続パッド上に形成された接合層とを有する半導体装置の製造方法において、弾性を有する転写用基材シート上に、前記第1の金属と固相拡散反応し得る第2の金属を含む接合層を配置し、雄型を用いて、該接合層側から転写用基材シートへ打ち抜くことにより、型抜きされた接合層を有する転写シートを形成する工程と、型抜きされた接合層を、前記接続パッドと位置合せする工程と、前記転写用基材シート側から加熱、加圧することにより、型抜きされた接合層を、前記接続パッド上に転写すると共に、前記第1の金属及び前記第2の金属間に固相拡散反応を起こし、前記接続パッド上に前記接合層を接合する工程を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311

FI (4)：

H01L 21/92 604 F ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 602 E ,  H01L 21/92 603 E