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J-GLOBAL ID：200903042016069680

エピタキシャルウエハおよびその製造方法

Inventor： 佐藤忠重 ,  今井めぐみ ,  高橋比等良
Applicant, Patent owner： 三菱化学株式会社
Agent (1)： 蛭川 昌信 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995139623
Publication number (International publication number)：1996335715
Application date： Jun. 06, 1995
Publication date： Dec. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】 PN接合を有するエピタキシャルウエハにおいて、光出力の向上と良好なオーミック電極の形成を可能にする。【構成】 PN接合を有するエピタキシャルウエハの第1P型層を気相成長法で成長させた後、熱拡散法により第1P型層に第1P型層より高いキャリア濃度の第2P型層を形成したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

PN接合を有するエピタキシャルウエハにおいて、P型層は第1P型層と第2P型層とからなり、第2P型層は、第1P型層より高いキャリア濃度であることを特徴とするエピタキシャルウエハ。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (2)：

H01L 33/00 B ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 発光ダイオ-ド用エピタキシャルウエハの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-079018   Applicant：株式会社エピテックス
• 半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-194926   Applicant：オムロン株式会社