Pat
J-GLOBAL ID:200903042044052156
積層薄膜
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
石井 陽一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999062864
Publication number (International publication number):2000256098
Application date: Mar. 10, 1999
Publication date: Sep. 19, 2000
Summary:
【要約】【課題】 (100)配向、(001)配向または(111)配向を有するペロブスカイト型酸化物薄膜が容易に得られる手段を提供する。【解決手段】 バッファ層と、この上に成長したペロブスカイト型酸化物薄膜とを有し、前記バッファ層の前記ペロブスカイト型酸化物薄膜との界面が{111}ファセット面から構成されており、前記ファセット面とほぼ平行に、前記ペロブスカイト型酸化物薄膜の立方晶、菱面体晶、正方晶もしくは斜方晶の{110}面、正方晶もしくは斜方晶の{101}面、または斜方晶の{011}面が存在する積層薄膜。
Claim (excerpt):
バッファ層と、この上に成長したペロブスカイト型酸化物薄膜とを有し、前記バッファ層の前記ペロブスカイト型酸化物薄膜との界面が{111}ファセット面から構成されており、前記ファセット面とほぼ平行に、前記ペロブスカイト型酸化物薄膜の立方晶、菱面体晶、正方晶もしくは斜方晶の{110}面、正方晶もしくは斜方晶の{101}面、または斜方晶の{011}面が存在する積層薄膜。
IPC (13):
C30B 29/32
, C30B 29/22
, H01L 21/316
, H01L 27/10 451
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 37/02
, H01L 39/02 ZAA
, H01L 39/02
, H01L 27/14
FI (10):
C30B 29/32 D
, C30B 29/22 Z
, H01L 21/316 B
, H01L 27/10 451
, H01L 37/02
, H01L 39/02 ZAA B
, H01L 39/02 ZAA D
, H01L 27/10 651
, H01L 29/78 371
, H01L 27/14 K
F-Term (46):
4G077AA03
, 4G077AA07
, 4G077BB10
, 4G077BC41
, 4G077BC43
, 4G077BC60
, 4G077DA02
, 4G077EC09
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077EF02
, 4G077EF04
, 4G077HA05
, 4G077HA11
, 4G077HA12
, 4G077SA04
, 4M114AA29
, 4M114BB05
, 4M114CC09
, 4M118AB01
, 4M118CA16
, 4M118CB12
, 4M118FC18
, 5F001AA17
, 5F058BA20
, 5F058BD01
, 5F058BD05
, 5F058BD18
, 5F058BF12
, 5F058BF17
, 5F058BF20
, 5F058BJ01
, 5F083FR05
, 5F083GA27
, 5F083GA30
, 5F083JA02
, 5F083JA12
, 5F083JA13
, 5F083JA14
, 5F083JA15
, 5F083JA17
, 5F083JA43
, 5F083JA44
, 5F083JA45
, 5F083PR05
, 5F083PR22
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
-
積層薄膜およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-106776
Applicant:ティーディーケイ株式会社
-
単結晶性薄膜の形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-268776
Applicant:住友電気工業株式会社, 東京電力株式会社
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