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J-GLOBAL ID：200903050823389186

積層薄膜およびその製造方法

Inventor：
矢野 義彦

About 矢野 義彦

, 
野口 隆男

About 野口 隆男


Applicant, Patent owner：
ティーディーケイ株式会社

About ティーディーケイ株式会社


Agent (1)： 石井 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997106776
Publication number (International publication number)：1998287494
Application date： Apr. 09, 1997
Publication date： Oct. 27, 1998
Summary：
【要約】【課題】 Si単結晶等からなる基板上に強誘電体薄膜、特にPbTiO3強誘電体薄膜を形成するに際し、自発分極値の低下を防ぐ。【解決手段】 基板上に形成された積層薄膜であり、導電性中間薄膜と、この導電性中間薄膜を介して積層された強誘電体薄膜とから構成され、前記強誘電体薄膜がペロブスカイト構造を有する(001)配向エピタキシャル膜であり、前記導電性中間薄膜がエピタキシャル膜である積層薄膜。強誘電体薄膜は、PbおよびTiを含む酸化物などから構成され、導電性中間薄膜は、ペロブスカイト構造を有し、Ruを含有する酸化物などから構成される。
Claim (excerpt)：
基板上に形成された積層薄膜であり、導電性中間薄膜と、この導電性中間薄膜を介して積層された強誘電体薄膜とから構成され、前記強誘電体薄膜がペロブスカイト構造を有する(001)配向エピタキシャル膜であり、前記導電性中間薄膜がエピタキシャル膜である積層薄膜。
IPC (6)：
C30B 29/32 ,  G02F 1/03 501 ,  H01G 7/06 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 31/0264 ,  H01L 39/24 ZAA
FI (6)：
C30B 29/32 A ,  G02F 1/03 501 ,  H01G 7/06 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 39/24 ZAA D ,  H01L 31/08 N
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
  • 特開昭63-236797
  • 酸化物積層構造
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-158521   Applicant：ソニー株式会社
  • 配向性強誘電体薄膜
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-297621   Applicant：富士ゼロックス株式会社
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