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J-GLOBAL ID:200903042060911320

プラズマ処理方法ならびにプラズマ処理装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 志賀 正武 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000275576
Publication number (International publication number):2002093779
Application date: Sep. 11, 2000
Publication date: Mar. 29, 2002
Summary:
【要約】【課題】 高速処理が可能なプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 処理室11に、第1真空ポンプ14と第2真空ポンプ15とを直列に接続し、第1真空ポンプ14と第2真空ポンプ15との間に、可変コンダクタンスバルブ16を設置する。また、被処理物13から発生する反応生成ガスを含む排出ガスの一部を、プラズマ発生領域の上流側へと帰還させるための還流経路17を設置する。還流経路17を通して処理室11へと排出ガスの一部を還流させることにより、排出ガス中に含まれている有効ラジカルを、被処理物13の処理に使用することができ、還流を行わない場合に比べて、処理速度が向上する。
Claim (excerpt):
プラズマを使用して、被処理物のエッチング処理やアッシング処理といったようなプラズマ処理を行うための方法であって、前記被処理物を処理した後の排出ガスの少なくとも一部を、前記被処理物の上流側へと還流させて、前記被処理物の処理のために再使用することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (6):
H01L 21/3065 ,  B01J 19/08 ,  G03F 7/40 521 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027 ,  H05H 1/46
FI (6):
B01J 19/08 H ,  G03F 7/40 521 ,  G03F 7/42 ,  H05H 1/46 A ,  H01L 21/302 B ,  H01L 21/30 572 A
F-Term (32):
2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096GA40 ,  2H096HA23 ,  2H096LA07 ,  4G075AA24 ,  4G075AA62 ,  4G075BA05 ,  4G075BA06 ,  4G075BC06 ,  4G075BD10 ,  4G075CA47 ,  4G075DA02 ,  4G075EB01 ,  4G075EB41 ,  4G075EC01 ,  4G075EC06 ,  4G075EE36 ,  5F004AA16 ,  5F004BA03 ,  5F004BA04 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BC02 ,  5F004BC04 ,  5F004BD01 ,  5F004BD02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB26 ,  5F046LB01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
  • 特開平2-006842
  • 特開平3-027518
  • プラズマ処理装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-013830   Applicant:ソニー株式会社
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